第三步，晶圆切割。

拉出来的硅锭，要截去头和尾，然后切成一片片特定厚度的薄片（硅片）。

目前主流的切片方式，是采用带有金刚线的多线切割机，也就是用线上固定有金刚石颗粒的钢丝线，对硅段进行多段切割。这种方法的效率高、损耗少。

图1：金刚线锯

切片有时候也会采用内圆锯。内圆锯则是内圆镀有金刚石的薄片，通过旋转内圆薄片切割晶锭。内圆锯的切割精度和速度相对较高，适用于高质量晶圆的切割。

图2：内圆锯

硅片非常脆弱，所以切割过程也需要十分小心，要严格控制温度和振动。切割时，需要使用水基或油基的切割液，用来冷却和润滑，以及带走切割产生的碎屑。

第四步，倒角、研磨、抛光。

切割得到的硅片，被称为“裸片”，即未经加工的“原料晶圆”。

裸片的表面会非常粗糙，而且会有残留切割液和碎屑。因此，需要倒角、研磨、抛光、清洗等工艺，完成切割后的处理，最终得到光滑如镜的“成品晶圆（Wafer）”。

倒角，就是通过倒角机，把硅片边缘的直角边磨成圆弧形。这是因为高纯度硅是一种脆性很高的材料，这样处理可以降低边缘处发生崩裂的风险。

研磨，就是粗研磨，使晶圆片表面平整、平行，减少机械缺陷。

研磨后，晶圆会被置于氮化酸与乙酸的混合溶液中进行蚀刻，以去除表面可能存在的微观裂纹或损伤。完成蚀刻后，晶圆会再经过一系列高纯度的RO/DI水浴处理，以确保其表面的洁净度。

晶圆在一系列化学和机械抛光过程中抛光，称为CMP（Chemical Mechanical Polish，化学机械抛光）。

其中，化学反应阶段，抛光液中富含的化学成分，与待处理的晶圆材料发生化学反应，生成易于清除的化合物，或使材料表面软化。

机械研磨阶段，借助抛光垫和抛光液中的磨粒，对晶圆材料进行机械性的磨削，从而去除在化学反应阶段生成的化合物，以及材料表面的其他杂质。

在CMP工艺中，首先需要将待抛光的晶圆固定在抛光机的晶圆夹具上。接着，抛光液被均匀地分配在晶圆和抛光垫之间。然后，抛光机通过施加适当的压力和旋转速度，对晶圆进行抛光。

CMP是芯片制造过程中的一个常见工序（后面还会再用到）。它的核心目标是实现全局平坦化（Global Planarization），即在纳米级精度下消除晶圆表面的高低差异（如金属层、介质层的不均匀性），为后续光刻等工艺做好准备。

第五步，清洗。

抛光完成之后，晶圆需要经过彻底清洗，去除残留的抛光液和磨粒。

清洗通常包括酸、碱、超纯水冲洗等多个步骤，每一步同样也要求在洁净室环境下进行，以避免任何新的杂质附着在晶圆表面上。

第六步，检测和分类。

抛光之后得到的晶圆，也叫抛光片。

最后，使用光学显微镜或其他检测设备对抛光效果进行严格检查，确保晶圆的表面平坦度、材料去除量、厚度、表面缺陷等指标全都符合预期要求。

检测合格的晶圆，将进入下一工序。检测不合格的，进行返工或者废弃处理。

需要注意！在实际生产中，晶圆边缘会切割出平角（Flat）或缺口（Notch），以便于后续工序中的定位和晶向确定。另外，在晶圆的反面边缘，也会打上序号标签，方便物料跟踪。

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