碳化硅片有哪些比较重要的参数?

作者:admin  来源:Tom聊芯片智造  发布时间:2024-05-16  访问量:1208

碳化硅衬底片到客户端验证主要测试什么项目,比较重要的参数有哪些?


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Lattice Parameters:晶格参数。确保衬底的晶格常数与将要生长的外延层相匹配,以减少缺陷和应力。

Stacking Sequence:堆砌顺序。SiC宏观上都是由硅原子和碳原子以1:1的比例构成,但原子层的排列顺序不同,则会形成了不同的晶体结构。因此碳化硅有着许多不同多晶型,如3C-SiC,4H-SiC,6H-SiC等,分别对应的堆砌顺序为:ABC,ABCB,ABCACB等。

Mohs Hardness:莫氏硬度。确定衬底的硬度,硬度影响加工难易程度和耐磨性。

Density:密度,影响衬底的机械强度和热性能。

Thermal Expansion Coefficient:热膨胀系数,指的是衬底在温度升高一摄氏度时,其长度或体积相对于原始长度或体积的增加比例。衬底和外延层在温度变化下的配合情况,影响器件的热稳定性。

Refraction Index :折射率,对于光学应用,折射指数是设计光电器件的关键参数。

Dielectric Constant:介电常数,影响器件的电容特性。

Thermal Conductivity:热导率,对高功率和高温应用至关重要,影响器件的冷却效率。

Band-gap:带隙,指半导体材料中价带顶端和导带底端之间的能量差。这个能量差决定电子能否从价带跃迁到导带。宽带隙材料需要更高的能量才能激发电子跃迁。

Break-Down Electrical Field:击穿电场,半导体材料可以承受的极限电压。

Saturation Drift Velocity:饱和漂移速度,载流子在半导体材料中施加一定电场后能够达到的最大平均速度。当电场强度增加到一定程度时,载流子的速度不会再随电场的进一步增强而增加,此时的速度称为饱和漂移速度。