CP,FT,WAT有什么区别?

作者:admin  来源:Tom聊芯片智造 ,原作者Tom  发布时间:2024-05-11  访问量:1248

CP是把坏的Die挑出来,可以减少封装和测试的成本。WAT是Wafer Acceptance Test,对专门的测试图形(test key)的测试,通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定。CP是对wafer进行测试,而FT是对package进行测试



CP,FT,WAT都是与芯片的测试有关,他们有什么区别呢?如何区分?


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1 CP,FT,WAT分别是什么?

CP:Chip Probing,在半导体制造结束后,芯片从晶圆分割并封装之前,使用探针卡接触晶圆上的芯片,进行电气测试以确保它们符合规格,一般包括vt(阈值电压),Rdson(导通电阻),BVdss(源漏击穿电压),Igss(栅源漏电流),Idss(漏源漏电流)等,不同类别的产品测试的参数也不同。


FT:Final Test,即终测通常在芯片封装完成后进行的最终测试。这个测试目的是验证封装好的芯片在功能上是否完全符合设计规格,包括其性能、功耗、可靠性等。

WAT:Wafer Acceptance Test,在晶圆加工过程中进行的测试,通过WAT,晶圆厂可以早期识别晶圆加工中的问题,如掺杂浓度不一致、光刻问题或蚀刻缺陷等,从而及时调整生产过程,避免大规模生产不良产品。


2 CP,FT,WAT的区别?


测的阶段不同:CP,WAT在晶圆上测,FT则是对封装好的每颗芯片进行测试。CP是所有半导体制造工艺结束后测,WAT在特定半导体制造工艺结束后测,而FT是芯片封装完毕后测。

测的频率不同:WAT一般是抽测,CP可抽测可全测,FT是全测。